Справочник MOSFET. BRD630

 

BRD630 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRD630
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для BRD630

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRD630 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1079K  blue-rocket-elect
 brd630.pdf pdf_icon

BRD630

BRD630(BRCS630D) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-252 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-252 Plastic Package. / Features ,,Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high e

 ..2. Size:604K  first silicon
 brd630.pdf pdf_icon

BRD630

SEMICONDUCTORBRD630TECHNICAL DATAN-Channel Power MOSFET AICJGENERAL DESCRIPTION DIM MILLIMETERSThis advanced high voltage MOSFET is designed to stand high A 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2energy in the avalanche mode and switch efficiently. D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1This new high energy device also offers a drainHH 1 00 MAXI 2 30

Другие MOSFET... BRD3N25 , BRD3N80 , BRD4N60 , BRD4N65 , BRD50N03 , BRD50N06 , BRD5N50 , BRD5N60 , IRF730 , BRD6N60 , BRD6N70 , BRD70N03 , BRF10N60 , BRF10N65 , BRF10N80 , BRF12N60 , BRF12N65 .

History: IXFN260N17T | JMSH0606PGQ | JMSH1008PE

 

 
Back to Top

 


 
.