BRF13N50 Todos los transistores

 

BRF13N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRF13N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 48 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 13 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 100 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.48 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220FL

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BRF13N50 Datasheet (PDF)

1.1. brf13n50.pdf Size:896K _blue-rocket-elect

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BRF13N50(BRCS13N50FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-220FL 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. 特征 / Features 超低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。 Ultra low gate charge, low effective output capacitance, high switch speed. 用途 / Applications 用于小型化高效率的开关电源的

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