BRF13N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRF13N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 48 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 13 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 100 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 180 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.48 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220FL
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BRF13N50 Datasheet (PDF)
1.1. brf13n50.pdf 
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