Справочник MOSFET. BRF13N50

 

BRF13N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRF13N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO220FL
 

 Аналог (замена) для BRF13N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:896K  blue-rocket-elect
 brf13n50.pdf pdf_icon

BRF13N50

BRF13N50(BRCS13N50FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features ,Ultra low gate charge, low effective output capacitance, high switch speed. / Applications

Другие MOSFET... BRD6N60 , BRD6N70 , BRD70N03 , BRF10N60 , BRF10N65 , BRF10N80 , BRF12N60 , BRF12N65 , 8N60 , BRF15N65 , BRF1N60 , BRF20N50 , BRF20N60 , BRF2N60 , BRF2N65 , BRF2N70 , BRF3N80 .

History: IRF7905PBF | 2SK1165 | UF540 | GT1003A | LSD65R570GT | FTK2312 | DHD035N04

 

 
Back to Top

 


 
.