BRF13N50 - описание и поиск аналогов

 

BRF13N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRF13N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO220FL

Аналог (замена) для BRF13N50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF13N50 даташит

 ..1. Size:896K  blue-rocket-elect
 brf13n50.pdf pdf_icon

BRF13N50

BRF13N50(BRCS13N50FL) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220FL N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package. / Features , Ultra low gate charge, low effective output capacitance, high switch speed. / Applications

Другие MOSFET... BRD6N60 , BRD6N70 , BRD70N03 , BRF10N60 , BRF10N65 , BRF10N80 , BRF12N60 , BRF12N65 , IRFB7545 , BRF15N65 , BRF1N60 , BRF20N50 , BRF20N60 , BRF2N60 , BRF2N65 , BRF2N70 , BRF3N80 .

History: RQK2001HQDQA | BRF12N65

 

 

 

 

↑ Back to Top
.