HUF76143P3 Todos los transistores

 

HUF76143P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HUF76143P3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 225 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB
 

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HUF76143P3 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:109K  intersil
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HUF76143P3

HUF76143P3, HUF76143S3SData Sheet September 1999 File Number 4400.775A, 30V, 0.0055 Ohm, N-Channel, Logic FeaturesLevel UltraFET Power MOSFETs Logic Level Gate DriveThese N-Channel power MOSFETs 75A, 30Vare manufactured using the Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.0055innovative UltraFET process.This advanced process technology Temperature Compensating

 7.1. Size:300K  fairchild semi
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HUF76143P3

HUF76145P3, HUF76145S3, HUF76145S3SData Sheet December 200375A, 30V, 0.0045 Ohm, N-Channel, Logic FeaturesLevel UltraFET Power MOSFETs Logic Level Gate DriveThese N-Channel power MOSFETs 75A, 30Vare manufactured using the Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.0045innovative UltraFET process. Temperature Compensating PSPICE ModelThis advanced process t

 7.2. Size:225K  fairchild semi
 huf76145p3-s3s.pdf pdf_icon

HUF76143P3

HUF76145P3, HUF76145S3SData Sheet December 200175A, 30V, 0.0045 Ohm, N-Channel, Logic FeaturesLevel UltraFET Power MOSFETs Logic Level Gate DriveThese N-Channel power MOSFETs 75A, 30Vare manufactured using the Ultra Low On-Resistance, rDS(ON) = 0.0045innovative UltraFET process. Temperature Compensating PSPICE ModelThis advanced process technology

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History: VN0660N3 | IRFI3710 | FRS440H | IPW65R110CFD | IPP65R660CFDA | IPS050N03L

 

 
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