BRF5N60 Todos los transistores

 

BRF5N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRF5N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 54 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 42 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRF5N60

 

BRF5N60 Datasheet (PDF)

1.1. brf5n60.pdf Size:733K _blue-rocket-elect

BRF5N60
BRF5N60

BRF5N60(BRCS5N60F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-220F 塑封封装 N 沟道 MOS 场效应管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. 特征 / Features 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。 Low gate charge, low crss, fast switching. 用途 / Applications 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。 These devices are well suited for hi

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top

 


BRF5N60
  BRF5N60
  BRF5N60
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: INK0310AP1 | INK0302AC1 | INK021AAP1 | INK0210AP1 | INK0210AC1 | INK0200AC1 | INK011BAP1 | INK0112AU1 | INK0112AM1 | INK0112AC1 | INK0103AU1 | INK0103AM1 | INK0103AC1 | INK0102AU1 | INK0102AM1 |

 

 

 
Back to Top