BRF5N60 - описание и поиск аналогов

 

BRF5N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRF5N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для BRF5N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRF5N60 даташит

 ..1. Size:733K  blue-rocket-elect
 brf5n60.pdf pdf_icon

BRF5N60

BRF5N60(BRCS5N60F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for hi

 8.1. Size:796K  blue-rocket-elect
 brf5n65.pdf pdf_icon

BRF5N60

BRF5N65 Rev.D Nov.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC These devices are well suited for high efficien

 9.1. Size:2335K  blue-rocket-elect
 brf5n50.pdf pdf_icon

BRF5N60

BRF5N50 Rev.A Aug.-2022 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features , , Low gate charge, low crss, fast switching. / Applications DC/DC , These devices are well suited for high efficiency

Другие MOSFET... BRF20N60 , BRF2N60 , BRF2N65 , BRF2N70 , BRF3N80 , BRF4N60 , BRF4N65 , BRF4N80 , IRFZ44N , BRF6N60 , BRF6N70 , BRF7N60 , BRF7N65 , BRF7N80 , BRF8N60 , BRF8N65 , BRF8N80 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.