CS8205B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CS8205B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 19.5 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23-6
Búsqueda de reemplazo de CS8205B MOSFET
CS8205B Datasheet (PDF)
cs8205b.pdf

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com SOT-23-6 Plastic-Encapsulate MOSFETS 8205B MOSFET(N-Channel) FEATURES SOT-23-6VDS=19.5V,ID=6A RDS(ON)
tpcs8205.pdf

TPCS8205 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS II) TPCS8205 Lithium Ion Battery Applications Unit: mmPortable Equipment Applications Notebook PCs Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance: R = 30 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance: |Y | = 10 S (typ.) fs Low leakage current: IDSS = 10
cs8205a 6a sot-23-6.pdf

ShenZhen CanSheng Industry Development Co.,Ltd. www.szcansheng.com8205ADual N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S ID R DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.27.5 @ VG S = 4.0V20V 6A S urface Mount Package.37.5@V G S = 2.5VD1 D2-
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History: BRU20N50 | STP75N3LLH6 | STP70NS04ZC | BRI70N03 | IPP084N06L3
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Liste
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MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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