BRI70N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BRI70N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 62.5 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 62.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 1.3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 600 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.008 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRI70N03
BRI70N03 Datasheet (PDF)
1.1. bri70n03.pdf 
Size:906K _blue-rocket-elect
BRI70N03(BRCS70N03I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-251 塑封封装 N 沟道 MOS 晶体管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. 特征 / Features 具有低导通电阻的超高密度设计，坚固可靠，表面贴装封装。 Super high dense cell design for low RDS(on)， Rugged and reliable，surface. 用途 / Applications 用于高功率 DC/
Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .
