BRI70N03 Todos los transistores

 

BRI70N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRI70N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 62.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 62.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 1.3 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 600 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.008 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

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BRI70N03 Datasheet (PDF)

1.1. bri70n03.pdf Size:906K _blue-rocket-elect

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BRI70N03(BRCS70N03I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-251 塑封封装 N 沟道 MOS 晶体管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. 特征 / Features 具有低导通电阻的超高密度设计,坚固可靠,表面贴装封装。 Super high dense cell design for low RDS(on), Rugged and reliable,surface. 用途 / Applications 用于高功率 DC/

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