BRI70N03 Todos los transistores

 

BRI70N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRI70N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 62.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 62.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 1.3 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 600 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.008 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BRI70N03

 

BRI70N03 Datasheet (PDF)

1.1. bri70n03.pdf Size:906K _blue-rocket-elect

BRI70N03
BRI70N03

BRI70N03(BRCS70N03I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET 描述 / Descriptions TO-251 塑封封装 N 沟道 MOS 晶体管。N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. 特征 / Features 具有低导通电阻的超高密度设计,坚固可靠,表面贴装封装。 Super high dense cell design for low RDS(on), Rugged and reliable,surface. 用途 / Applications 用于高功率 DC/

Otros transistores... CED6861 , CED95P04 , CEF14P20 , CEF15P15 , CEF6601 , CEH2305 , CEH2313 , CEH2321 , 2SK170 , CEH2331 , CEH3456 , CEM2163 , CEM2187 , CEM2281 , CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 .

 

 
Back to Top

 


BRI70N03
  BRI70N03
  BRI70N03
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: GSM2306AE | GSM2306A | GSM2304S | GSM2304AS | GSM2304A | GSM2304 | GSM2303A | GSM2303 | GSM2302S | GSM2302AS | GSM2301S | GSM2301AS | GSM2301A | GSM2301 | GSM2014 |

 

 

 
Back to Top