BRI70N03 - описание и поиск аналогов

 

BRI70N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BRI70N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для BRI70N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRI70N03 даташит

 ..1. Size:906K  blue-rocket-elect
 bri70n03.pdf pdf_icon

BRI70N03

BRI70N03(BRCS70N03I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(on) Rugged and reliable surface. / Applications DC/

Другие MOSFET... BRI3N80 , BRI4N60 , BRI4N65 , BRI50N03 , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 , BRI6N70 , AO3401 , BRL2N60 , BRM501D , BRP50N20 , BRS1N60 , BRS1N70 , BRS1N80 , BRS3N25 , BRU20N50 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.