Справочник MOSFET. BRI70N03

 

BRI70N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRI70N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для BRI70N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BRI70N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:906K  blue-rocket-elect
 bri70n03.pdf pdf_icon

BRI70N03

BRI70N03(BRCS70N03I) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-251 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-251 Plastic Package. / Features Super high dense cell design for low RDS(on) Rugged and reliablesurface. / Applications DC/

Другие MOSFET... BRI3N80 , BRI4N60 , BRI4N65 , BRI50N03 , BRI5N50 , BRI5N60 , BRI630 , BRI6N70 , AO3400 , BRL2N60 , BRM501D , BRP50N20 , BRS1N60 , BRS1N70 , BRS1N80 , BRS3N25 , BRU20N50 .

History: HFU630 | FQA13N80-F109 | AOCA32112E

 

 
Back to Top

 


 
.