BRS1N70 Todos los transistores

 

BRS1N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BRS1N70

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 700 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 20 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 20 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 15 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO92

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BRS1N70 Datasheet (PDF)

1.1. brs1n70.pdf Size:228K _blue-rocket-elect

BRS1N70
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BRS1N70(CS1N70S) N-CHANNEL MOSFET/N 沟道 MOS 晶体管 用途: 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。 Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. 特点: 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。 Features: Low gate charge, low crss, fast switching. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃

5.1. brs1n60.pdf Size:243K _blue-rocket-elect

BRS1N70
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BRS1N60(CS1N60S) N-CHANNEL MOSFET/N 沟道 MOS 场效应管 用途: 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。 Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. 特点: 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。 Features: Low gate charge, low crss, fast switching. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25

5.2. brs1n80.pdf Size:249K _blue-rocket-elect

BRS1N70
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BRS1N80(CS1N80S) N-CHANNEL MOSFET/N 沟道 MOS 晶体管 用途: 用于高功率 DC/DC 转换和功率开关。 Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. 特点: 低栅电荷,低反馈电容,开关速度快。 Features: Low gate charge, low crss, fast switching. 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃

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