Справочник MOSFET. BRS1N70

 

BRS1N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BRS1N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: TO92
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BRS1N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:228K  blue-rocket-elect
 brs1n70.pdf pdf_icon

BRS1N70

BRS1N70(CS1N70S) N-CHANNEL MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : ,, Features: Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

 9.1. Size:249K  blue-rocket-elect
 brs1n80.pdf pdf_icon

BRS1N70

BRS1N80(CS1N80S) N-CHANNEL MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : ,, Features: Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

 9.2. Size:243K  blue-rocket-elect
 brs1n60.pdf pdf_icon

BRS1N70

BRS1N60(CS1N60S) N-CHANNEL MOSFET/N MOS : DC/DC Purpose: These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. : ,, Features: Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: STB100N6F7 | BF964S | NTHL082N65S3F | BSC032N03SG | FMV23N50ES | 2SK1186 | CS4N60FA9TDY

 

 
Back to Top

 


 
.