VTI630 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VTI630
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET VTI630

VTI630 Datasheet (PDF)

..1. Size:1103K blue-rocket-elect
vti630.pdf

VTI630(BRCS630R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features RDS(on) 0.3,Typical RDS(on)=0.3,low intrinsic capacitance Ciss, fast switching. / Applications ,,DC-DC

0.1. Size:770K blue-rocket-elect
vti630f.pdf

VTI630F(BRCS630F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on) 0.3,Typical RDS(on)=0.3,low intrinsic capacitance Ciss, fast switching. / Applications ,,DC-DC

9.1. Size:1055K blue-rocket-elect
vti634f.pdf

VTI634F(BRCS634F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on) 0.38,Typical RDS(on)=0.38,low intrinsic capacitance Ciss, fast switching. / Applications ,DC-DC SMPSD

9.2. Size:200K foshan
vti634.pdf

VTI634(CS634) N-Channel MOSFET/N MOS :,DC-DC Purpose: SMPSDC-DC converters. : RDS(on)0.38, Features: Typical RDS(on)=0.38,low intrinsic capacitance C , fast switching. iss/Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 250 V D

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Liste

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