VTI630F Todos los transistores

 

VTI630F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VTI630F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO220F

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VTI630F datasheet

 ..1. Size:770K  blue-rocket-elect
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VTI630F

VTI630F(BRCS630F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on) 0.3 , Typical RDS(on)=0.3 ,low intrinsic capacitance Ciss, fast switching. / Applications , ,DC-DC

 8.1. Size:1103K  blue-rocket-elect
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VTI630F

VTI630(BRCS630R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features RDS(on) 0.3 , Typical RDS(on)=0.3 ,low intrinsic capacitance Ciss, fast switching. / Applications , ,DC-DC

 9.1. Size:1055K  blue-rocket-elect
 vti634f.pdf pdf_icon

VTI630F

VTI634F(BRCS634F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on) 0.38 , Typical RDS(on)=0.38 ,low intrinsic capacitance Ciss, fast switching. / Applications ,DC-DC SMPS D

 9.2. Size:200K  foshan
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VTI630F

VTI634(CS634) N-Channel MOSFET/N MOS ,DC-DC Purpose SMPS DC-DC converters. RDS(on) 0.38 , Features Typical RDS(on)=0.38 ,low intrinsic capacitance C , fast switching. iss /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V 250 V D

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History: SM1A06NSF | SSH7N60A | 2SK1172 | WMM28N60F2 | 2SK1356 | CEP6030L | NTD4965N

 

 

 

 

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