VTI640F Todos los transistores

 

VTI640F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VTI640F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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VTI640F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:992K  blue-rocket-elect
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VTI640F

VTI640F(BRCS640F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on) 0.15,Typical RDS(on)=0.15,low intrinsic capacitance Ciss, fast switching. / Applications ,,DC-DC

 8.1. Size:1269K  blue-rocket-elect
 vti640.pdf pdf_icon

VTI640F

VTI640(BRCS640R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features RDS(on) 0.3,Typical RDS(on)=0.3,low intrinsic capacitance Ciss, fast switching. / Applications ,,DC-DC

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