VTI640F Todos los transistores

 

VTI640F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VTI640F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO220F

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VTI640F datasheet

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VTI640F

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VTI640F

VTI640(BRCS640R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features RDS(on) 0.3 , Typical RDS(on)=0.3 ,low intrinsic capacitance Ciss, fast switching. / Applications , ,DC-DC

Otros transistores... BRU20N50 , IRFB830 , IRFH3205 , SI2306 , VTI630 , VTI630F , VTI634F , VTI640 , NCEP15T14 , SSP2N60B , SSS2N60B , 2SK4100LS , 2SK1460 , 2SK2010 , 2SK1033 , 2SK1035 , 2SK1036 .

History: IRF7379I | STD13N50DM2AG | 2SK957-M | SIR422DP-T1-GE3 | SI4947ADY | SUD50P06-15L-GE3

 

 

 

 

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