VTI640F - описание и поиск аналогов

 

VTI640F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VTI640F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для VTI640F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VTI640F даташит

 ..1. Size:992K  blue-rocket-elect
 vti640f.pdf pdf_icon

VTI640F

 8.1. Size:1269K  blue-rocket-elect
 vti640.pdf pdf_icon

VTI640F

VTI640(BRCS640R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features RDS(on) 0.3 , Typical RDS(on)=0.3 ,low intrinsic capacitance Ciss, fast switching. / Applications , ,DC-DC

Другие MOSFET... BRU20N50 , IRFB830 , IRFH3205 , SI2306 , VTI630 , VTI630F , VTI634F , VTI640 , NCEP15T14 , SSP2N60B , SSS2N60B , 2SK4100LS , 2SK1460 , 2SK2010 , 2SK1033 , 2SK1035 , 2SK1036 .

History: 2SJ319 | 2SJ49 | SVD4N65F | WML15N60C4 | WMO7N65D1B | APM2317A | SM3439NHQA

 

 

 

 

↑ Back to Top
.