Справочник MOSFET. VTI640F

 

VTI640F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VTI640F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для VTI640F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VTI640F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:992K  blue-rocket-elect
 vti640f.pdf pdf_icon

VTI640F

VTI640F(BRCS640F) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220F N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220F Plastic Package. / Features RDS(on) 0.15,Typical RDS(on)=0.15,low intrinsic capacitance Ciss, fast switching. / Applications ,,DC-DC

 8.1. Size:1269K  blue-rocket-elect
 vti640.pdf pdf_icon

VTI640F

VTI640(BRCS640R) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-220 N MOS N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package. / Features RDS(on) 0.3,Typical RDS(on)=0.3,low intrinsic capacitance Ciss, fast switching. / Applications ,,DC-DC

Другие MOSFET... BRU20N50 , IRFB830 , IRFH3205 , SI2306 , VTI630 , VTI630F , VTI634F , VTI640 , IRFP450 , SSP2N60B , SSS2N60B , 2SK4100LS , 2SK1460 , 2SK2010 , 2SK1033 , 2SK1035 , 2SK1036 .

History: STU7NF25 | KTK919S | RU3040M3 | IRLR8103 | WMO18N65EM | FS18SM-9 | 50N06L-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.