2SK1234 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1234
Tipo de FET: MESFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.27 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 5 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 33 Ohm
Paquete / Cubierta: 2071
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK1234
2SK1234 Datasheet (PDF)
2sk123.pdf
Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK1232SK123Silicon N-Channel JunctionUnit : mmFor impedance conversion in low frequency+0.25.8 -0.3For electret capacitor microphone+0.251.52.4 0.1 -0.051.9 0.1 Features 1 High mutual conductance gm3 Low noise voltage of NV2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Parameter Symbol Rating Unit1 : DrainDrain-Source vol
2sk0123 2sk123.pdf
Silicon Junction FETs (Small Signal)2SK0123 (2SK123)Silicon N-Channel Junction FETFor impedance conversion in low frequencyUnit: mmFor electret capacitor microphone0.40+0.100.050.16+0.100.063 Features High mutual conductance gm Low noise voltage of NV1 2(0.95) (0.95)1.90.12.90+0.200.05 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)10Parameter Symbol
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Liste
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