2SK1267 Todos los transistores

 

2SK1267 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1267

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: TOP-3 SC65

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2SK1267 datasheet

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2SK1267

Power F-MOS FETs 2SK1267 2SK1267 Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features 15.0 0.5 4.5 0.2 Low ON-resistance RDS(on) RDS(on)1= 0.07 (typ) 13.0 0.5 High-speed switching tf =180ns(typ) 10.5 0.5 2.0 0.1 No secondary breakdown Large allowable power dissipation Low-voltage drive 3.2 0.1 Applications 2.0 0.2 1.4 0.3 1.1 0.1 DC-DC converter Non-

 8.1. Size:33K  panasonic
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2SK1267

Power F-MOS FETs 2SK1266 2SK1266 Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features 10.0 0.2 4.2 0.2 Low ON-resistance RDS(on) RDS(on)1= 0.08 (typ) 5.5 0.2 2.7 0.2 High-speed switching tf=180ns(typ) No secondary breakdown 3.1 0.1 Low-voltage drive Applications 1.3 0.2 DC-DC converter 1.4 0.1 Non-contact relay +0.2 0.5 -0.1 0.8 0.1 Solenoid drive Moto

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 8.3. Size:148K  hitachi
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History: 4N60L-TF2-T | ZXMN20B28K

 

 

 

 

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