2SK1267 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK1267
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: TOP-3 SC65
Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SK1267
2SK1267 Datasheet (PDF)
2sk1267.pdf
Power F-MOS FETs 2SK12672SK1267Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm Features 15.0 0.5 4.5 0.2Low ON-resistance RDS(on) : RDS(on)1= 0.07(typ)13.0 0.5High-speed switching : tf =180ns(typ)10.5 0.5 2.0 0.1No secondary breakdownLarge allowable power dissipationLow-voltage drive3.2 0.1 Applications2.0 0.21.4 0.31.1 0.1 DC-DC converterNon-
2sk1266.pdf
Power F-MOS FETs 2SK12662SK1266Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm Features10.0 0.2 4.2 0.2Low ON-resistance RDS(on) : RDS(on)1= 0.08(typ)5.5 0.2 2.7 0.2High-speed switching : tf=180ns(typ)No secondary breakdown3.1 0.1Low-voltage drive Applications1.3 0.2DC-DC converter1.4 0.1Non-contact relay+0.20.5 -0.10.8 0.1Solenoid driveMoto
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Liste
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