2SK1267 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

2SK1267 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: 2SK1267
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TOP-3 SC65

Аналог (замена) для 2SK1267

2SK1267 Datasheet (PDF)

..1. Size:34K panasonic
2sk1267.pdf

Power F-MOS FETs 2SK12672SK1267Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm Features 15.0 0.5 4.5 0.2Low ON-resistance RDS(on) : RDS(on)1= 0.07(typ)13.0 0.5High-speed switching : tf =180ns(typ)10.5 0.5 2.0 0.1No secondary breakdownLarge allowable power dissipationLow-voltage drive3.2 0.1 Applications2.0 0.21.4 0.31.1 0.1 DC-DC converterNon-

8.1. Size:33K panasonic
2sk1266.pdf

Power F-MOS FETs 2SK12662SK1266Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm Features10.0 0.2 4.2 0.2Low ON-resistance RDS(on) : RDS(on)1= 0.08(typ)5.5 0.2 2.7 0.2High-speed switching : tf=180ns(typ)No secondary breakdown3.1 0.1Low-voltage drive Applications1.3 0.2DC-DC converter1.4 0.1Non-contact relay+0.20.5 -0.10.8 0.1Solenoid driveMoto

8.2. Size:143K panasonic
2sk1261.pdf