2SJ146 Todos los transistores

 

2SJ146 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ146

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 60 Ohm

Encapsulados: TO236 SC59

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2SJ146 datasheet

 ..1. Size:29K  panasonic
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2SJ146

Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SJ146 2SJ146 Silicon P-Channel MOS Unit mm For switching +0.2 2.8 0.3 +0.25 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Features High-speed switching 1 Downsizing of sets by mini-type package and automatic insertion by taping/magazine packing are available. 3 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Rating Unit 0.1 to 0.3 Drai

 9.1. Size:282K  toshiba
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2SJ146

2SJ148 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 2SJ148 High Speed Switching Applications Unit mm Analog Switch Applications Interface Applications Excellent switching time ton = 14 ns (typ.) High forward transfer admittance Y = 100 mS (min) fs Low on resistance R = 1.3 (typ.) DS (ON) Enhancement-mode Complementary to 2SK9

 9.2. Size:293K  toshiba
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2SJ146

2SJ144 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ144 Audio Frequency Amplifier Applications Unit mm Analog Switch Applications Constant Current Applications Impedance Converter Applications High breakdown voltage VGDS = 50 V (min) High input impedance I = 1.0 nA (max) (V = 30 V) GSS GS Low R R = 270 (typ.) (I = -5 mA) DS (ON)

 9.3. Size:161K  nec
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2SJ146

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