2SJ146 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2SJ146
Маркировка: 4D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 60 Ohm
Тип корпуса: TO236 SC59
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
2SJ146 Datasheet (PDF)
2sj146.pdf

Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SJ1462SJ146Silicon P-Channel MOSUnit : mmFor switching+0.22.8 0.3+0.250.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Features High-speed switching1 Downsizing of sets by mini-type package and automatic insertion bytaping/magazine packing are available.32 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Parameter Symbol Rating Unit0.1 to 0.3Drai
2sj148.pdf

2SJ148 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 2SJ148 High Speed Switching Applications Unit: mm Analog Switch Applications Interface Applications Excellent switching time: ton = 14 ns (typ.) High forward transfer admittance: |Y | = 100 mS (min) fs Low on resistance: R = 1.3 (typ.) DS (ON) Enhancement-mode Complementary to 2SK9
2sj144.pdf

2SJ144 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ144 Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm Analog Switch Applications Constant Current Applications Impedance Converter Applications High breakdown voltage: VGDS = 50 V (min) High input impedance: I = 1.0 nA (max) (V = 30 V) GSS GS Low R : R = 270 (typ.) (I = -5 mA) DS (ON)
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: IXFC80N10 | FDW254P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet