2SJ146 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SJ146
Маркировка: 4D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 60 Ohm
Тип корпуса: TO236 SC59
2SJ146 Datasheet (PDF)
2sj146.pdf
Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SJ1462SJ146Silicon P-Channel MOSUnit : mmFor switching+0.22.8 0.3+0.250.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Features High-speed switching1 Downsizing of sets by mini-type package and automatic insertion bytaping/magazine packing are available.32 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Parameter Symbol Rating Unit0.1 to 0.3Drai
2sj148.pdf
2SJ148 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 2SJ148 High Speed Switching Applications Unit: mm Analog Switch Applications Interface Applications Excellent switching time: ton = 14 ns (typ.) High forward transfer admittance: |Y | = 100 mS (min) fs Low on resistance: R = 1.3 (typ.) DS (ON) Enhancement-mode Complementary to 2SK9
2sj144.pdf
2SJ144 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel Junction Type 2SJ144 Audio Frequency Amplifier Applications Unit: mm Analog Switch Applications Constant Current Applications Impedance Converter Applications High breakdown voltage: VGDS = 50 V (min) High input impedance: I = 1.0 nA (max) (V = 30 V) GSS GS Low R : R = 270 (typ.) (I = -5 mA) DS (ON)
2sj140.pdf
2sj142.pdf
2sj143.pdf
2sj141.pdf
2sj147.pdf
2sj145.pdf
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATIONISAHAYA ELECTRONICS CORPORATIONISAHAYA ELECTRONICS CORPORATIONhttp://www.idc-com.co.jp6-41, TSUKUBA, ISAHAYA, NAGASAKI, 854-0065, JAPAN Keep safety in your circuit designs !Isahaya Electronics Corporation puts the maximum effort into making semiconductor products better and more reliable, but there is always the possibility that troub
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918