HUF76413D3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HUF76413D3  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm

Encapsulados: TO251AA

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HUF76413D3 datasheet

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HUF76413D3

October 2010 HUFA76413DK8T_F085 N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 60V, 4.8A, 56m General Description These N-Channel power MOSFETs are manufactured us- Applications ing the innovative UltraFET process. This advanced pro- Motor and Load Control cess technology achieves the lowest possible on- resistance per silicon area, resulting in outstanding perfor- Powertr

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HUF76413D3

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