HUF76413D3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HUF76413D3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.056 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HUF76413D3

HUF76413D3 Datasheet (PDF)

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huf76413d3-s.pdf

HUF76413D3, HUF76413D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.056 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AAFeatures Ultra Low On-ResistanceDRAIN DRAINSOURCE- rDS(ON) = 0.049, VGS = 10V (FLANGE) (FLANGE)DRAINGATE- rDS(ON) = 0.056, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER

5.1. Size:617K fairchild semi
huf76413dk f085.pdf

October 2010HUFA76413DK8T_F085N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET60V, 4.8A, 56mGeneral DescriptionThese N-Channel power MOSFETs are manufactured us-Applicationsing the innovative UltraFET process. This advanced pro- Motor and Load Controlcess technology achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding perfor- Powertr

6.1. Size:104K intersil
huf76413p3.pdf

HUF76413P3Data Sheet November 1999 File Number 4723.122A, 60V, 0.056 Ohm, N-Channel, LogicLevel UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.049, VGS = 10VSOURCE- rDS(ON) = 0.056, VGS = 5VDRAINGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABERElectrical Models- Spice and SABER Thermal Im

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