HUF76413D3 - описание и поиск аналогов

 

HUF76413D3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HUF76413D3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm

Тип корпуса: TO251AA

Аналог (замена) для HUF76413D3

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF76413D3 даташит

 0.1. Size:204K  fairchild semi
 huf76413d3-s.pdf pdf_icon

HUF76413D3

 5.1. Size:617K  fairchild semi
 huf76413dk f085.pdf pdf_icon

HUF76413D3

October 2010 HUFA76413DK8T_F085 N-Channel Logic Level UltraFET Power MOSFET 60V, 4.8A, 56m General Description These N-Channel power MOSFETs are manufactured us- Applications ing the innovative UltraFET process. This advanced pro- Motor and Load Control cess technology achieves the lowest possible on- resistance per silicon area, resulting in outstanding perfor- Powertr

 6.1. Size:104K  intersil
 huf76413p3.pdf pdf_icon

HUF76413D3

HUF76413P3 Data Sheet November 1999 File Number 4723.1 22A, 60V, 0.056 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.049 , VGS = 10V SOURCE - rDS(ON) = 0.056 , VGS = 5V DRAIN GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models - Spice and SABER Thermal Im

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HUF76145S3S , HUF76407D3 , HUF76407D3S , HUF76407DK8 , HUF76407P3 , HUF76409D3 , HUF76409D3S , HUF76409P3 , 2SK3878 , HUF76413D3S , HUF76413P3 , HUF76419D3 , HUF76419D3S , HUF76419P3 , HUF76419S3S , HUF76423D3 , HUF76423D3S .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.