2SK2130 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK2130
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220E
Búsqueda de reemplazo de 2SK2130 MOSFET
2SK2130 Datasheet (PDF)
2sk2130.pdf
Power F-MOS FETs 2SK21302SK2130Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm FeaturesAvalanche energy capability guaranteed : EAS > 15mJ4.6 0.29.9 0.3 2.9 0.2VGSS=30V guaranteed3.2 0.1High-speed switching : tf= 45nsNo secondary breakdown2.6 0.1 Applications1.2 0.151.45 0.15 0.7 0.1Non-contact relay0.75 0.1Solenoid drive2.54 0.2Motor drive
Otros transistores... 2SK2122 , 2SK2123 , 2SK2124 , 2SK2125 , 2SK2126 , 2SK2127 , 2SK2128 , 2SK2129 , CS150N03A8 , 2SK2145 , 2SK2151 , 2SK2152 , 2SK2154 , 2SK2160 , 2SK2167 , 2SK2169 , 2SK2170 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
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