HUF76423D3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HUF76423D3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HUF76423D3

HUF76423D3 Datasheet (PDF)

0.1. Size:199K fairchild semi
huf76423d3s.pdf

HUF76423D3, HUF76423D3SData Sheet December 200120A, 60V, 0.037 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETFairchildPackagingFeaturesJEDEC TO-251AA JEDEC TO-252AA Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.032, VGS = 10VDRAIN DRAIN- rDS(ON) = 0.037, VGS = 5VSOURCE (FLANGE) (FLANGE)DRAINGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER

6.1. Size:241K fairchild semi
huf76423p3.pdf

HUF76423P3, HUF76423S3SData Sheet December 200133A, 60V, 0.035 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeaturesDRAIN Ultra Low On-ResistanceSOURCE (FLANGE)DRAIN- rDS(ON) = 0.030, VGS = 10VGATE- rDS(ON) = 0.035, VGS = 5VGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEElec

6.2. Size:785K onsemi
huf76423p3.pdf

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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