2SK614 Todos los transistores

 

2SK614 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK614

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: TO92

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2SK614 datasheet

 ..1. Size:32K  panasonic
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2SK614

Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK614 2SK614 Silicon N-Channel MOS Unit mm For switching 5.0 0.2 4.0 0.2 Features Low ON-resistance RDS(on) High-speed switching Direct drive possible with CMOS, TTL +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 1.27 1.27 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1 Source Parameter Symbol Rating Unit 2 Drain 3 Gate Drain-Source voltage VDS 80

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2SK614

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2SK614

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2SK614

Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK615 2SK615 Silicon N-Channel MOS Unit mm For switching 6.9 0.1 2.5 0.1 1.5 Features 1.5 R0.9 1.0 R0.9 Low ON-resistance RDS(on) High-speed switching Direct drive possible with CMOS, TTL Easy automatic- /manual-insertion due to M type package. Self-fix- 0.85 ing to printed circuits board. 0.55 0.1 0.45 0.05 3 2 1 Absolute Maximu

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