2SK65 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK65 📄📄
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.02 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.002 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 70 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3000 Ohm
Encapsulados: S-TYPE
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de 2SK65 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
2SK65 datasheet
2sk65.pdf
Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK65 2SK65 Silicon N-Channel Junction Unit mm 4.5 0.1 2.0 0.2 For impedance conversion in low frequency 1.0 For electret capacitor microphone Features Diode connected between gate and source Low noise voltage 0.45 0.05 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 2.54 0.8 0.1 Parameter Symbol Rating Unit 1 2 3 1 Drain Drain-Source
2sk655.pdf
Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK655 2SK655 Silicon N-Channel MOS Unit mm For switching 4.0 0.2 Features High-speed switching Radial taping possible marking 1 2 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1.27 1.27 Symbol Unit Parameter Rating 2.54 0.15 1 Source VDS V Drain-Source voltage 50 2 Drain VGSO V Gate-Source voltage 8 3 Gate ID mA Drain current
Otros transistores... 2SK2911, 2SK2919, 2SK2951, 2SK2969, 2SK2987, 2SK601, 2SK614, 2SK615, IRF740, 2SK690, 2SK758, 2SK771, 2SK772, 2SK937, 2SK2711, 2SK2713, 2SK2714
History: 2SK765
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MSH100N045SA | MSD60P16 | MSD40P45 | MSB100N023 | MS60P03 | MS40P05AU | MS40P05 | MS40N05 | MS34P07 | MS34P01 | MS23P03 | MS23N06A | BPMS04N003M | BPM0405CG | BPM0306CG | BP0405SCG
Popular searches
bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965
