2SK65 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK65  📄📄 

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.02 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.002 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 70 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3000 Ohm

Encapsulados: S-TYPE

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2SK65 datasheet

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2SK65

Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK65 2SK65 Silicon N-Channel Junction Unit mm 4.5 0.1 2.0 0.2 For impedance conversion in low frequency 1.0 For electret capacitor microphone Features Diode connected between gate and source Low noise voltage 0.45 0.05 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 2.54 0.8 0.1 Parameter Symbol Rating Unit 1 2 3 1 Drain Drain-Source

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2SK65

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2SK65

Silicon MOS FETs (Small Signal) 2SK655 2SK655 Silicon N-Channel MOS Unit mm For switching 4.0 0.2 Features High-speed switching Radial taping possible marking 1 2 3 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 1.27 1.27 Symbol Unit Parameter Rating 2.54 0.15 1 Source VDS V Drain-Source voltage 50 2 Drain VGSO V Gate-Source voltage 8 3 Gate ID mA Drain current

Otros transistores... 2SK2911, 2SK2919, 2SK2951, 2SK2969, 2SK2987, 2SK601, 2SK614, 2SK615, IRF740, 2SK690, 2SK758, 2SK771, 2SK772, 2SK937, 2SK2711, 2SK2713, 2SK2714