HUF76432P3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HUF76432P3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 53 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HUF76432P3

HUF76432P3 Datasheet (PDF)

0.1. Size:221K fairchild semi
huf76432p3-s3s.pdf

HUF76432P3, HUF76432S3SData Sheet December 200155A, 60V, 0.019 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263ABFeatures Ultra Low On-ResistanceSOURCE DRAINDRAIN (FLANGE) - rDS(ON) = 0.017, VGS = 10VGATE- rDS(ON) = 0.019, VGS = 5VGATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEElectr

7.1. Size:209K fairchild semi
huf76439s3st.pdf

HUF76439P3, HUF76439S3SData Sheet December 200171A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance- rDS(ON) = 0.012, VGS = 10VSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.014, VGS = 5VDRAIN (FLANGE)GATE Simulation Models- Temperature Compensated PSPICE and SABER GATEElectrical

7.2. Size:215K fairchild semi
huf76437s3st.pdf

HUF76437P3, HUF76437S3SData Sheet December 200164A, 60V, 0.017 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.014, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.017, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEEle

7.3. Size:210K fairchild semi
huf76439s3s.pdf

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