HUF76432P3 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги HUF76432P3. Основные параметры


   Наименование производителя: HUF76432P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для HUF76432P3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HUF76432P3 даташит

 0.1. Size:221K  fairchild semi
 huf76432p3-s3s.pdf pdf_icon

HUF76432P3

HUF76432P3, HUF76432S3S Data Sheet December 2001 55A, 60V, 0.019 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Features Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN DRAIN (FLANGE) - rDS(ON) = 0.017 , VGS = 10V GATE - rDS(ON) = 0.019 , VGS = 5V GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE Electr

 7.1. Size:209K  fairchild semi
 huf76439s3st.pdf pdf_icon

HUF76432P3

HUF76439P3, HUF76439S3S Data Sheet December 2001 71A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.012 , VGS = 10V SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.014 , VGS = 5V DRAIN (FLANGE) GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER GATE Electrical

 7.2. Size:215K  fairchild semi
 huf76437s3st.pdf pdf_icon

HUF76432P3

HUF76437P3, HUF76437S3S Data Sheet December 2001 64A, 60V, 0.017 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.014 , VGS = 10V DRAIN (FLANGE) GATE - rDS(ON) = 0.017 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE Ele

 7.3. Size:210K  fairchild semi
 huf76439s3s.pdf pdf_icon

HUF76432P3

HUF76439P3, HUF76439S3S Data Sheet December 2001 71A, 60V, 0.014 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.012 , VGS = 10V SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.014 , VGS = 5V DRAIN (FLANGE) GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER GATE Electrical

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HUF76423D3 , HUF76423D3S , HUF76423P3 , HUF76423S3S , HUF76429D3 , HUF76429D3S , HUF76429P3 , HUF76429S3S , 12N60 , HUF76432S3S , HUF76437P3 , HUF76437S3S , HUF76439P3 , HUF76439S3S , HUF76443P3 , HUF76443S3S , HUF76445P3 .

History: GT125N10F | HUF76423P3

 

 

 


 
↑ Back to Top
.