2SK2631 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SK2631
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
Paquete / Cubierta: TP
- Selección de transistores por parámetros
2SK2631 Datasheet (PDF)
2sk2631.pdf

Ordering number : ENN66002SK2631N-Channel Silicon MOSFET2SK2631Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance. unit : mm Smaller amount of total gate charge. 2083B[2SK2631]6.52.35.00.540.850.71.20.60.51 : Gate1 2 32 : Drain3 : Source4 : Drain2.3 2.3SANYO : TPunit : mm2092B[2SK2631]6.5 2.35.0 0
2sk2632ls.pdf

Ordering number:ENN5531BN-Channel Silicon MOSFET2SK2632LSUltrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance.unit:mm Low Qg.2078B[2SK2632LS]4.510.02.83.20.91.21.20.70.751 : Gate1 2 32 : Drain3 : Source2.55 2.55SANYO : TO220FI-LSSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol Conditio
2sk2639-01.pdf

N-channel MOS-FET2SK2639-01FAP-IIS Series 450V 0,65 10A 100W> Features > Outline Drawing- High Speed Switching- Low On-Resistance- No Secondary Breakdown- Low Driving Power- High Voltage- VGS = 30V Guarantee- Repetitive Avalanche Rated> Applications- Switching Regulators- UPS- DC-DC converters- General Purpose Power Amplifier> Maximum Ratings and Characteri
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: BLP042N10G-P | FQA5N90 | FQA11N90CF109
History: BLP042N10G-P | FQA5N90 | FQA11N90CF109



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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