2SK1729 Todos los transistores

 

2SK1729 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1729
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: NMP
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SK1729 Datasheet (PDF)

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2SK1729

Ordering number:EN3824N-Channel Silicon MOSFET2SK1729Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2087A Low-voltage drive.[2SK1729]2.5 Meets radial taping.1.456.9 1.00.60.9 0.51 2 30.451 : Source2 : Drain3 : Gate2.54 2.54SANYO : NMPSpecificationsAbsolute Maximum

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2SK1729

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2SK1729

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2SK1729

Ordering number:EN3822N-Channel Silicon MOSFET2SK1727Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2087A Low-voltage drive.[2SK1727]2.5 Meets radial taping.1.456.9 1.00.60.9 0.51 2 30.451 : Source2 : Drain3 : Gate2.54 2.54SANYO : NMPSpecificationsAbsolute Maximum

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History: FTK5N80DD | CSD85312Q3E | BUK7616-55A | AP98T03GP-HF

 

 
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