2SK1729. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK1729

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 15 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: NMP

Аналог (замена) для 2SK1729

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1729 даташит

 ..1. Size:82K  sanyo
 2sk1729.pdf pdf_icon

2SK1729

Ordering number EN3824 N-Channel Silicon MOSFET 2SK1729 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2087A Low-voltage drive. [2SK1729] 2.5 Meets radial taping. 1.45 6.9 1.0 0.6 0.9 0.5 1 2 3 0.45 1 Source 2 Drain 3 Gate 2.54 2.54 SANYO NMP Specifications Absolute Maximum

 8.1. Size:41K  toshiba
 2sk1723.pdf pdf_icon

2SK1729

 8.2. Size:136K  toshiba
 2sk1721.pdf pdf_icon

2SK1729

 8.3. Size:86K  sanyo
 2sk1727.pdf pdf_icon

2SK1729

Ordering number EN3822 N-Channel Silicon MOSFET 2SK1727 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Package Dimensions Low ON resistance. unit mm Ultrahigh-speed switching. 2087A Low-voltage drive. [2SK1727] 2.5 Meets radial taping. 1.45 6.9 1.0 0.6 0.9 0.5 1 2 3 0.45 1 Source 2 Drain 3 Gate 2.54 2.54 SANYO NMP Specifications Absolute Maximum

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK1610, 2SK1612, 2SK1613, 2SK1614, 2SK1724, 2SK1725, 2SK1727, 2SK1728, 10N60, 2SK1730, 2SK1731, 2SK1732, 2SK1733, 2SK1734, 2SK1735, 2SK1737, 2SK1738