HUF76443S3S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HUF76443S3S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HUF76443S3S

HUF76443S3S Datasheet (PDF)

6.1. Size:217K fairchild semi
huf76443p3-s3s.pdf

HUF76443P3, HUF76443S3SData Sheet December 200175A, 60V, 0.0095 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.008, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.0095, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEE

7.1. Size:214K fairchild semi
huf76445p3-s3s.pdf

HUF76445P3, HUF76445S3SData Sheet December 200175A, 60V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.0065, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.0075, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE

7.2. Size:207K fairchild semi
huf76445s3st.pdf

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