HUF76443S3S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HUF76443S3S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: TO263AB
Аналог (замена) для HUF76443S3S
HUF76443S3S Datasheet (PDF)
huf76443p3-s3s.pdf
HUF76443P3, HUF76443S3SData Sheet December 200175A, 60V, 0.0095 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.008, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.0095, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCEE
huf76445p3-s3s.pdf
HUF76445P3, HUF76445S3SData Sheet December 200175A, 60V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.0065, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.0075, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE
huf76445s3st.pdf
HUF76445P3, HUF76445S3SData Sheet December 200175A, 60V, 0.0075 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETPackagingFeaturesJEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-ResistanceSOURCEDRAIN- rDS(ON) = 0.0065, VGS = 10VDRAIN (FLANGE)GATE- rDS(ON) = 0.0075, VGS = 5V Simulation ModelsGATE- Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE
Другие MOSFET... HUF76429S3S , HUF76432P3 , HUF76432S3S , HUF76437P3 , HUF76437S3S , HUF76439P3 , HUF76439S3S , HUF76443P3 , IRFP450 , HUF76445P3 , HUF76445S3S , HUF76609D3 , HUF76609D3S , HUF76619D3 , HUF76619D3S , HUF76629D3 , HUF76629D3S .
