2SJ233 Todos los transistores

 

2SJ233 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SJ233
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: FLP
 

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2SJ233 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:88K  sanyo
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2SJ233

Ordering number:EN3818P-Channel Silicon MOSFET2SJ233Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2085A Low-voltage drive.[2SJ233]4.5 Its height onboard is 9.5mm.1.9 2.610.51.2 1.4 Meets radial taping.1.20.51.60.51 2 31 : Source2 : Drain3 : Gate2.5 2.5SANYO

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2SJ233

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2SJ233

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2SJ233

Ordering number:EN3817P-Channel Silicon MOSFET2SJ232Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2085A Low-voltage drive.[2SJ232]4.5 Its height onboard is 9.5mm.1.9 2.610.51.2 1.4 Meets radial taping.1.20.51.60.51 2 31 : Source2 : Drain3 : Gate2.5 2.5SANYO

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History: 12N65KL-TF2-T | AO3453 | 2N3370 | AM90N03-04D | AFP3485 | AM2300N | BSC034N06NS

 

 
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