2SK1980 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK1980

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm

Encapsulados: N-TYPE

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2SK1980 datasheet

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2SK1980

Power F-MOS FETs 2SK1980 2SK1980 Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features Avalanche energy capability guaranteed EAS > 15mJ 3.4 0.3 8.5 0.2 6.0 0.5 1.0 0.1 VGSS= 30V guaranteed High-speed switching tf= 25ns No secondary breakdown 1.5max. 1.1max. Applications Non-contact relay 0.8 0.1 0.5max. Solenoid drive 2.54 0.3 Motor drive 5.08 0.5 Control

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2SK1980

FUJI POWER MOSFET 2SK1986-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET FAP-IIA SERIES Outline Drawings Features High speed switching TO-220AB Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power High voltage VGS= 30V Guarantee Avalanche-proof Applications Switching regulators UPS 3. Source DC-DC converters JEDEC TO-220AB General purpose power amplifier EIAJ SC-46 Equivalent c

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