2SK1980. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK1980

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: N-TYPE

Аналог (замена) для 2SK1980

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1980 даташит

 ..1. Size:31K  panasonic
 2sk1980.pdf pdf_icon

2SK1980

Power F-MOS FETs 2SK1980 2SK1980 Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features Avalanche energy capability guaranteed EAS > 15mJ 3.4 0.3 8.5 0.2 6.0 0.5 1.0 0.1 VGSS= 30V guaranteed High-speed switching tf= 25ns No secondary breakdown 1.5max. 1.1max. Applications Non-contact relay 0.8 0.1 0.5max. Solenoid drive 2.54 0.3 Motor drive 5.08 0.5 Control

 8.1. Size:433K  1
 2sk1988 2sk1989.pdf pdf_icon

2SK1980

 8.2. Size:31K  panasonic
 2sk198.pdf pdf_icon

2SK1980

 8.3. Size:249K  fuji
 2sk1986-01.pdf pdf_icon

2SK1980

FUJI POWER MOSFET 2SK1986-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET FAP-IIA SERIES Outline Drawings Features High speed switching TO-220AB Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power High voltage VGS= 30V Guarantee Avalanche-proof Applications Switching regulators UPS 3. Source DC-DC converters JEDEC TO-220AB General purpose power amplifier EIAJ SC-46 Equivalent c

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK1905, 2SK1906, 2SK1907, 2SK1908, 2SK1909, 2SK1961, 2SK1967, 2SK198, IRFB4110, 2SK2326, 2SK2327, 2SK2339, 2SK2340, 2SK2342, 2SK2347, 2SK2348, 2SK2349