HUF76633S3S Todos los transistores

 

HUF76633S3S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HUF76633S3S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 145 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263AB
 

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HUF76633S3S datasheet

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HUF76633S3S

HUF76633P3, HUF76633S3S Data Sheet December 2001 38A, 100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance DRAIN SOURCE (FLANGE) - rDS(ON) = 0.035 , VGS = 10V DRAIN GATE - rDS(ON) = 0.036 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE El

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huf76633p3 f085.pdf pdf_icon

HUF76633S3S

HUF76633P3_F085 Data Sheet April 2012 38A, 100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB Ultra Low On-Resistance - rDS(ON) = 0.035 , VGS = 10V SOURCE DRAIN - rDS(ON) = 0.036 , VGS = 5V GATE Simulation Models - Temperature Compensated PSPICE and SABER Electrical Models - Spice and SABER Thermal Impedance Model

 6.2. Size:223K  fairchild semi
huf76633p3-s3s.pdf pdf_icon

HUF76633S3S

HUF76633P3, HUF76633S3S Data Sheet December 2001 38A, 100V, 0.036 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET Packaging Features JEDEC TO-220AB JEDEC TO-263AB Ultra Low On-Resistance DRAIN SOURCE (FLANGE) - rDS(ON) = 0.035 , VGS = 10V DRAIN GATE - rDS(ON) = 0.036 , VGS = 5V Simulation Models GATE - Temperature Compensated PSPICE and SABER SOURCE El

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HUF76633S3S

HUF76633P3 www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) Available 175 C Junction Temperature 0.032 at VGS = 10 V 45 RoHS* 100 Low Thermal Resistance Package 0.035 at VGS = 4.5 V 40 COMPLIANT D TO-220AB G S G D S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C,

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History: IRC430 | IRC240 | FDD6670A

 

 

 


 
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