SSF0115 Todos los transistores

 

SSF0115 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSF0115
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 7.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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SSF0115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  silikron
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SSF0115

SSF0115Main Product Characteristics: VDSS 100V RDS(on) 90m (typ.) ID 6.5A SOT223 Marking and pin Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

Otros transistores... 2SJ579 , 2SJ580 , 2SJ583LS , 2SJ584LS , 2SJ585LS , 2SJ589LS , 2N7002KB , 2N7002KG8 , IRFP450 , SSF1006 , SSF1006A , SSF1006H , SSF1007 , SSF1009 , SSF1010 , SSF1010A , SSF1016 .

History: WSD2012DN25 | WMT04N10TS

 

 
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