SSF0115 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSF0115
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 7.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 58 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSF0115

SSF0115 Datasheet (PDF)

..1. Size:346K silikron
ssf0115.pdf

SSF0115Main Product Characteristics: VDSS 100V RDS(on) 90m (typ.) ID 6.5A SOT223 Marking and pin Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

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Liste

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