Справочник MOSFET. SSF0115

 

SSF0115 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSF0115
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для SSF0115

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF0115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:346K  silikron
 ssf0115.pdf pdf_icon

SSF0115

SSF0115Main Product Characteristics: VDSS 100V RDS(on) 90m (typ.) ID 6.5A SOT223 Marking and pin Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

Другие MOSFET... 2SJ579 , 2SJ580 , 2SJ583LS , 2SJ584LS , 2SJ585LS , 2SJ589LS , 2N7002KB , 2N7002KG8 , IRFP450 , SSF1006 , SSF1006A , SSF1006H , SSF1007 , SSF1009 , SSF1010 , SSF1010A , SSF1016 .

History: IRFB5615 | SWF13N65K2 | IRFZ48VS | SNN1530NL | NCEP040N10GU | SSS7N60B | JFPC5N90C

 

 
Back to Top

 


 
.