SSF0115. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF0115

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 7.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для SSF0115

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF0115 даташит

 ..1. Size:346K  silikron
 ssf0115.pdf pdf_icon

SSF0115

SSF0115 Main Product Characteristics VDSS 100V RDS(on) 90m (typ.) ID 6.5A SOT223 Marking and pin Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

Другие IGBT... 2SJ579, 2SJ580, 2SJ583LS, 2SJ584LS, 2SJ585LS, 2SJ589LS, 2N7002KB, 2N7002KG8, NCEP15T14, SSF1006, SSF1006A, SSF1006H, SSF1007, SSF1009, SSF1010, SSF1010A, SSF1016