SSF1020A Todos los transistores

 

SSF1020A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF1020A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 120 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 60 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 90 nC

Tiempo de elevación (tr): 15.6 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 300 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.02 Ohm

Empaquetado / Estuche: D2PAK

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SSF1020A Datasheet (PDF)

1.1. ssf1020a.pdf Size:453K _silikron

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SSF1020A Feathers: ID =60A Advanced trench process technology BV=100V Ultra low Rdson, typical 16mohm Rdson=20mΩ(max.) High avalanche energy, 100% test Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSF1020A is a new generation of middle voltage and high current N–Channel enhancement mode trench power SSF1020A TOP View (D2PAK) MOSFET. This ne

3.1. ssf1020d.pdf Size:685K _silikron

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 SSF1020D Main Product Characteristics: VDSS 100V RDS(on) 16mΩ(typ.) ID 60A DPAK Ma rk in g an d pi n Sc h ema t ic diag r am Assignment Features and Benefits:  Advanced trench MOSFET process technology  Special designed for PWM, load switching and general purpose applications  Ultra low on-resistance with low gate charge  Fast switching and reverse body re

3.2. ssf1020.pdf Size:458K _silikron

SSF1020A
SSF1020A

SSF1020 Feathers: ID =60A  Advanced trench process technology BV=100V  Ultra low Rdson, typical 16mohm Rdson=16mΩ(Typ.)  High avalanche energy, 100% test  Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSF1020 is a new generation of middle voltage and high current N–Channel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology i

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