SSF18N50F Todos los transistores

 

SSF18N50F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSF18N50F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SSF18N50F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  silikron
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SSF18N50F

SSF18N50FMain Product Characteristics: VDSS 500V RDS(on) 0.22ohm(typ.)ID 18AMarking and pin TO220FSchematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 150 operating

 8.1. Size:512K  silikron
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SSF18N50F

SSF18NS60F Main Product Characteristics: VDSS 610V RDS(on) 0.27ohm(typ.) ID 15A Marking and pin TO220F Schematic diagram Assignment Features and Benefits: High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description: The SSF18NS60F series MOSFETs is a new technology, whic

 8.2. Size:607K  silikron
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SSF18N50F

SSF18NS60 Main Product Characteristics: VDSS 610V RDS(on) 0.27(typ.) ID 15A Marking a nd p in Sche ma ti c di agr a m TO220 Assignment Features and Benefits: High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description: The SSF18NS60 series MOSFETs is a new technology

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History: IRF7807VD2 | AOTE21115C | BUK456-200A | HFH9N90A | KF13N60N | BUZ900DP | AOTF27S60

 

 
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