SSF18N50F Todos los transistores

 

SSF18N50F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF18N50F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 38 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 80.3 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 290 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.35 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

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SSF18N50F Datasheet (PDF)

1.1. ssf18n50f.pdf Size:379K _silikron

SSF18N50F
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 SSF18N50F  Main Product Characteristics: VDSS 500V RDS(on) 0.22ohm(typ.) ID 18A Marking and pin TO220F Schematic diagram  Assignment  Features and Benefits: Advanced Process Technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery 150℃ operating

4.1. ssf18ns60.pdf Size:607K _silikron

SSF18N50F
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 SSF18NS60 Main Product Characteristics: VDSS 610V RDS(on) 0.27Ω(typ.) ID 15A ① Marking a nd p in Sche ma ti c di agr a m TO220 Assignment Features and Benefits:  High dv/dt and avalanche capabilities  100% avalanche tested  Low input capacitance and gate charge  Low gate input resistance Description: The SSF18NS60 series MOSFETs is a new technology

4.2. ssf18ns60f.pdf Size:512K _silikron

SSF18N50F
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 SSF18NS60F Main Product Characteristics: VDSS 610V RDS(on) 0.27ohm(typ.) ID 15A ① Marking and pin TO220F Schematic diagram Assignment Features and Benefits:  High dv/dt and avalanche capabilities  100% avalanche tested  Low input capacitance and gate charge  Low gate input resistance Description: The SSF18NS60F series MOSFETs is a new technology, whic

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