SSF1N80G5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSF1N80G5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 16 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de SSF1N80G5 MOSFET
SSF1N80G5 Datasheet (PDF)
ssf1n80g5.pdf

SSF1N80G5Main Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 13 (typ.) ID 1AMarking and pin SOT223Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery
ssf1n80d.pdf

SSF1N80DMain Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 13 (typ.) ID 1A Marking and pin TO-252Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery
ssf1n90d.pdf

SSF1N90DMain Product Characteristics: VDSS 900V RDS(on) 15 (typ.) ID 1A Marking and pin TO-252Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery
Otros transistores... SSF1502G5 , SSF1504D , SSF1526 , SSF1530 , SSF18N50F , SSF18NS60 , SSF18NS60F , SSF1N80D , IRF540N , SSF1N90D , SSF20N50UH , SSF20N60H , SSF20NS60 , SSF20NS60F , SSF20NS65 , SSF20NS65F , SSF2112H2 .
History: SIJ482DP
History: SIJ482DP



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