SSF1N80G5 Todos los transistores

 

SSF1N80G5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSF1N80G5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 15 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 16 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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SSF1N80G5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:360K  silikron
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SSF1N80G5

SSF1N80G5Main Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 13 (typ.) ID 1AMarking and pin SOT223Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 7.1. Size:400K  silikron
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SSF1N80G5

SSF1N80DMain Product Characteristics: VDSS 800V RDS(on) 13 (typ.) ID 1A Marking and pin TO-252Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

 9.1. Size:401K  silikron
 ssf1n90d.pdf pdf_icon

SSF1N80G5

SSF1N90DMain Product Characteristics: VDSS 900V RDS(on) 15 (typ.) ID 1A Marking and pin TO-252Schematic diagramAssignmentFeatures and Benefits: Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

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History: WMB02DN10T1 | PPMUT20V3 | 3N55

 

 
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