SSF32E0E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSF32E0E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT523
Búsqueda de reemplazo de SSF32E0E MOSFET
SSF32E0E Datasheet (PDF)
Otros transistores... SSF3018D , SSF3028C1 , SSF3036C , SSF3051G7 , SSF3055 , SSF3056C , SSF3092G1 , SSF3117 , IRF2807 , SSF3314E , SSF3322 , SSF3324 , SSF3338 , SSF3339 , SSF3341 , SSF3341L , SSF3365 .
History: IRLM2502TR | IPU80R750P7 | NP80N055DLE | TK35A65W | IGLD60R190D1 | PPF240M | NTD60N03-001
History: IRLM2502TR | IPU80R750P7 | NP80N055DLE | TK35A65W | IGLD60R190D1 | PPF240M | NTD60N03-001



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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