SSF32E0E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF32E0E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8 Ohm

Тип корпуса: SOT523

Аналог (замена) для SSF32E0E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF32E0E даташит

 ..1. Size:231K  silikron
 ssf32e0e.pdf pdf_icon

SSF32E0E

SSF32E0E GENERAL FEATURES VDS =30V,ID = 0.1A R

Другие IGBT... SSF3018D, SSF3028C1, SSF3036C, SSF3051G7, SSF3055, SSF3056C, SSF3092G1, SSF3117, STF13NM60N, SSF3314E, SSF3322, SSF3324, SSF3338, SSF3339, SSF3341, SSF3341L, SSF3365