SSF3416 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF3416

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0185 Ohm

Encapsulados: SOT23-6

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SSF3416 datasheet

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SSF3416

SSF3416 D DESCRIPTION The SSF3416 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) G and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =9A RDS(ON)

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SSF3420 D DESCRIPTION The SSF3420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) G and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =6.3A RDS(ON)

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SSF3428 DESCRIPTION The SSF3428 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =6A RDS(ON)

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SSF3416

SSF3402 D DESCRIPTION The SSF3402 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), G low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID = 5A RDS(ON)

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