SSF3416 Todos los transistores

 

SSF3416 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSF3416
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0185 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6
 

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SSF3416 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:428K  silikron
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SSF3416

SSF3416 D DESCRIPTION The SSF3416 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =9A RDS(ON)

 9.1. Size:360K  silikron
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SSF3416

SSF3420 D DESCRIPTION The SSF3420 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) Gand low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =6.3A RDS(ON)

 9.2. Size:288K  silikron
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SSF3428 DESCRIPTION The SSF3428 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID =6A RDS(ON)

 9.3. Size:303K  silikron
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SSF3402 DDESCRIPTION The SSF3402 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), Glow gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 30V,ID = 5A RDS(ON)

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History: EC4407KF | AP4501AGEM-HF | GP2M007A065XG | AP6N1R7CDT | SPI21N50C3 | ME95N03-G | VP3203N3

 

 
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