SSF3N80F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF3N80F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 54.4 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm

Encapsulados: TO220F

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SSF3N80F datasheet

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SSF3N80F

SSF3N80F Main Product Characteristics VDSS 800V RDS(on) 3.7 (typ.) ID 3A Marking a nd p in Sche ma ti c di agr a m TO220F Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recove

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SSF3N80F

SSF3N80D Main Product Characteristics VDSS 800V RDS(on) 3.8 (typ.) ID 3A Marking and p in TO-252 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

Otros transistores... SSF3637S, SSF3639C, SSF3641, SSF3745, SSF3904A, SSF3944J7-HF, SSF3960J7-HF, SSF3N80D, 50N06, SSF4004, SSF4004S, SSF4015, SSF4031C1, SSF4032CH3, SSF4203, SSF4414, SSF4604