SSF3N80F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSF3N80F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 54.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для SSF3N80F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSF3N80F даташит

 ..1. Size:534K  silikron
 ssf3n80f.pdf pdf_icon

SSF3N80F

SSF3N80F Main Product Characteristics VDSS 800V RDS(on) 3.7 (typ.) ID 3A Marking a nd p in Sche ma ti c di agr a m TO220F Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recove

 7.1. Size:462K  silikron
 ssf3n80d.pdf pdf_icon

SSF3N80F

SSF3N80D Main Product Characteristics VDSS 800V RDS(on) 3.8 (typ.) ID 3A Marking and p in TO-252 Schematic diagram Assignment Features and Benefits Advanced MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse body recovery

Другие IGBT... SSF3637S, SSF3639C, SSF3641, SSF3745, SSF3904A, SSF3944J7-HF, SSF3960J7-HF, SSF3N80D, 50N06, SSF4004, SSF4004S, SSF4015, SSF4031C1, SSF4032CH3, SSF4203, SSF4414, SSF4604