SSF4624 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSF4624
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSF4624

SSF4624 Datasheet (PDF)

..1. Size:328K silikron
ssf4624.pdf

SSF4624 DESCRIPTION The SSF4624 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 40V,ID =6A RDS(ON)

9.1. Size:545K silikron
ssf4607d.pdf

SSF4607D Main Product Characteristics: DVDSS -30V G RDS(on) 19m(typ.) SID -25A TO-252 Marking and pin Schematic diagram Ass ig nme nt Features and Benefits: Advanced trench MOSFET process technology Special designed for PWM, load switching and general purpose applications Ultra low on-resistance with low gate charge Fast switching and reverse

9.2. Size:496K silikron
ssf4606.pdf

SSF4606 DESCRIPTION The SSF4606 uses advanced trench technology MOSFET to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFET may be used in power inverters, and other applications. P-channel N-channel Schematic diagram GENERAL FEATURES N-Channel VDS = 30V,ID = 6.9A RDS(ON)

9.3. Size:501K silikron
ssf4604.pdf

SSF4604 DESCRIPTION The SSF4604 uses advanced trench technology MOSFET to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFET may be used in power inverters, and other applications. P-channel N-channel Schematic diagram GENERAL FEATURES D1 D1 D2 D2N-Channel 8 7 6 5VDS = 30V,ID = 6.9A RDS(ON)

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Liste

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