SSF4703DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSF4703DC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X2-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SSF4703DC

SSF4703DC Datasheet (PDF)

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ssf4703dc.pdf

SSF4703DCDESCRIPTION The SSF4703DC uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. GENERAL FEATURES Schematic diagram MOSFET VDS = -20V,ID = -3.4A RDS(ON)

7.1. Size:235K silikron
ssf4703.pdf

SSF4703 DESCRIPTION The SSF4703 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. GENERAL FEATURES Schematic diagram MOSFET VDS = -20V,ID = -3.4A RDS(ON)

9.1. Size:637K silikron
ssf47ns60h.pdf

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History: HP20N50

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: