SSF4703DC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF4703DC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: DFN3X2-8L

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SSF4703DC datasheet

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SSF4703DC

SSF4703DC DESCRIPTION The SSF4703DC uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. GENERAL FEATURES Schematic diagram MOSFET VDS = -20V,ID = -3.4A RDS(ON)

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SSF4703DC

SSF4703 DESCRIPTION The SSF4703 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. GENERAL FEATURES Schematic diagram MOSFET VDS = -20V,ID = -3.4A RDS(ON)

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SSF4703DC

SSF47NS60H Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 0.059ohm(typ.) ID 47A TO247 Schema t ic diagr am Features and Benefits High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF47NS60H series MOSFETs is a new technology which combines an innovative su

Otros transistores... SSF4032CH3, SSF4203, SSF4414, SSF4604, SSF4606, SSF4607D, SSF4624, SSF4703, AON6414A, SSF47NS60H, SSF4953, SSF4N60, SSF4N60D, SSF4N60F, SSF4N60G, SSF4NS60D, SSF53A0E