SSF47NS60H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSF47NS60H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: TO247

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SSF47NS60H datasheet

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SSF47NS60H

SSF47NS60H Main Product Characteristics VDSS 600V RDS(on) 0.059ohm(typ.) ID 47A TO247 Schema t ic diagr am Features and Benefits High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description The SSF47NS60H series MOSFETs is a new technology which combines an innovative su

 9.1. Size:235K  silikron
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SSF47NS60H

SSF4703 DESCRIPTION The SSF4703 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. GENERAL FEATURES Schematic diagram MOSFET VDS = -20V,ID = -3.4A RDS(ON)

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SSF47NS60H

SSF4703DC DESCRIPTION The SSF4703DC uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. GENERAL FEATURES Schematic diagram MOSFET VDS = -20V,ID = -3.4A RDS(ON)

Otros transistores... SSF4203, SSF4414, SSF4604, SSF4606, SSF4607D, SSF4624, SSF4703, SSF4703DC, IRFB4115, SSF4953, SSF4N60, SSF4N60D, SSF4N60F, SSF4N60G, SSF4NS60D, SSF53A0E, SSF5506