SSF47NS60H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSF47NS60H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 208 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 47 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 125 nC
Tiempo de subida (tr): 83 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 8400 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
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SSF47NS60H Datasheet (PDF)
ssf47ns60h.pdf
SSF47NS60H Main Product Characteristics: VDSS 600V RDS(on) 0.059ohm(typ.) ID 47A TO247 Schema t ic diagr am Features and Benefits: High dv/dt and avalanche capabilities 100% avalanche tested Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Description: The SSF47NS60H series MOSFETs is a new technologywhich combines an innovative su
ssf4703.pdf
SSF4703 DESCRIPTION The SSF4703 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. GENERAL FEATURES Schematic diagram MOSFET VDS = -20V,ID = -3.4A RDS(ON)
ssf4703dc.pdf
SSF4703DCDESCRIPTION The SSF4703DC uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . A Schottky diode is provided to facilitate the implementation of a bidirectional blocking switch, or for DC-DC conversion applications. GENERAL FEATURES Schematic diagram MOSFET VDS = -20V,ID = -3.4A RDS(ON)
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